Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V / 69 A 305 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-3910
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R029CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.6.258 | CHF.187.84 |
| 60 - 60 | CHF.6.101 | CHF.183.02 |
| 90 + | CHF.5.943 | CHF.178.42 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3910
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R029CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 69A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 29mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 305W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 145nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 69A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 29mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 305W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 145nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 650 V CoolMOS CFD7 Super Junction MOSFET im TO-247-Gehäuse ist ideal für Resonanztopologien in industriellen Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen geeignet, bei denen er erhebliche Effizienzverbesserungen im Vergleich zur Konkurrenz ermöglicht. Als Nachfolger der CFD2-SJ-MOSFET-Familie wird er mit einer reduzierten Gate-Ladung, einem verbesserten Abschaltverhalten und einer reduzierten Umkehr-Wiederherstellungsladung geliefert, die höchste Effizienz und Leistungsdichte sowie eine zusätzliche 50-V-Ausbruchspannung ermöglichen.
650 V Durchschlagsspannung
Signifikant reduzierte Schaltverluste im Vergleich zur Konkurrenz
Niedrigste RDS(on)-Abhängigkeit über Temperatur
Ausgezeichnete Robustheit bei schwerer Umschaltung
Zusätzlicher Sicherheitsabstand für Designs mit erhöhter Busspannung
Ermöglicht eine erhöhte Leistungsdichte
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