Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V / 69 A 305 W, 3-Pin PG-TO-247

RS Best.-Nr.:: 258-3910
Herst. Teile-Nr.:: IPW65R029CFD7XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V / 69 A 305 W, 3-Pin PG-TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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60 - 60	CHF.6.92	CHF.207.62
90 +	CHF.6.626	CHF.198.86

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RS Best.-Nr.:: 258-3910
Herst. Teile-Nr.:: IPW65R029CFD7XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	69A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	PG-TO-247
	Serie	IPW
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	29mΩ
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	145nC
	Maximale Verlustleistung Pd	305W
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 69A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße PG-TO-247
	Serie IPW
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 29mΩ
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 145nC
	Maximale Verlustleistung Pd 305W
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPW65R029CFD7XKSA1

Der Infineon 650 V CoolMOS CFD7 Super Junction MOSFET im TO-247-Gehäuse ist ideal für Resonanztopologien in industriellen Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen geeignet, bei denen er erhebliche Effizienzverbesserungen im Vergleich zur Konkurrenz ermöglicht. Als Nachfolger der CFD2-SJ-MOSFET-Familie wird er mit einer reduzierten Gate-Ladung, einem verbesserten Abschaltverhalten und einer reduzierten Umkehr-Wiederherstellungsladung geliefert, die höchste Effizienz und Leistungsdichte sowie eine zusätzliche 50-V-Ausbruchspannung ermöglichen.

650 V Durchschlagsspannung

Signifikant reduzierte Schaltverluste im Vergleich zur Konkurrenz

Niedrigste RDS(on)-Abhängigkeit über Temperatur

Ausgezeichnete Robustheit bei schwerer Umschaltung

Zusätzlicher Sicherheitsabstand für Designs mit erhöhter Busspannung

Ermöglicht eine erhöhte Leistungsdichte

Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 650 V / 69 A 305 W, 3-Pin PG-TO-247

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