Vishay Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche Dual-N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET 30 V / 100 A 48.1 W, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS
- RS Best.-Nr.:
- 252-0294
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF5302DT-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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- SIZF5302DT-T1-RE3
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Dual-N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 12 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0032Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 48.1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Dual-N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 12 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0032Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 48.1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
TrenchFET Gen V Leistungs-MOSFET
Symmetrischer Dual-N-Kanal
Flip-Chip-Technologie für optimales thermisches Design
High-Side- und Low-Side-MOSFETs bilden optimierte
Kombination für 50 % Einschaltdauer
Optimierte RDS-Qg- und RDS-Qgd-Leistungszahlen (FOM) erhöhen den Wirkungsgrad
Für Hochfrequenz-Switch
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