Vishay Symmetrischer Dual-N-Kanal Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V / 159 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5FS
- RS Best.-Nr.:
- 252-0298
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF640DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.20.53
Auf Lager
- Zusätzlich 5’975 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.4.106 | CHF.20.51 |
| 25 - 45 | CHF.3.854 | CHF.19.28 |
| 50 - 120 | CHF.3.486 | CHF.17.43 |
| 125 - 245 | CHF.3.276 | CHF.16.40 |
| 250 + | CHF.3.077 | CHF.15.38 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 252-0298
- Herst. Teile-Nr.:
- SIZF640DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 159A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 6 x 5FS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.00137Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Transistor-Konfiguration | Symmetrischer Dual-N-Kanal | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 159A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PowerPAIR 6 x 5FS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.00137Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Transistor-Konfiguration Symmetrischer Dual-N-Kanal | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.
TrenchFET Gen IV Leistungs-MOSFET
100 % Rg und UIS-geprüft
Symmetrischer Dual-N-Kanal
Flip-Chip-Technologie optimales thermisches Design
High-Side- und Low-Side-MOSFETs bilden optimierte
Kombination für 50 % Einschaltdauer
Verwandte Links
- Vishay Symmetrischer Dual-N-Kanal Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V / 159 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5FS
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 16 A PowerPAIR
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 16 A SIZ918DT-T1-GE3 PowerPAIR
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 8.9 A PowerPAIR 3 x 3 S.
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 8.9 A SIZ260DT-T1-GE3 PowerPAIR 3 x 3 S.
- Vishay SiHU5N80AE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin IPAK
- Vishay SiHU4N80AE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 4.1 A 62.5 W, 3-Pin IPAK
- Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 4.4 A 62.5 W, 3-Pin TO-220