Vishay Symmetrischer Dual-N-Kanal Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V / 159 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5FS

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RS Best.-Nr.:
252-0296
Herst. Teile-Nr.:
SIZF640DT-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

159A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerPAIR 6 x 5FS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00137Ω

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Transistor-Konfiguration

Symmetrischer Dual-N-Kanal

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Die MOSFET-Produktlinie von Vishay Siliconix umfasst ein breites Spektrum an fortschrittlichen Technologien. MOSFETs sind Transistorbauelemente, die von einem Kondensator gesteuert werden. Der Feldeffekt bedeutet, dass sie durch Spannung gesteuert werden. N-Kanal-MOSFETs enthalten zusätzliche Elektronen, die sich frei bewegen können. Die Produkte sind ein beliebter Kanaltyp. N-Kanal-MOSFETs werden aktiv, wenn eine positive Ladung an den Gate-Anschluss angelegt wird.

TrenchFET Gen IV Leistungs-MOSFET

100 % Rg und UIS-geprüft

Symmetrischer Dual-N-Kanal

Flip-Chip-Technologie optimales thermisches Design

High-Side- und Low-Side-MOSFETs bilden optimierte

Kombination für 50 % Einschaltdauer

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