Vishay SIZF5302DT Dual-N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 48.1 W, 12-Pin PowerPAIR 3 x 3FS

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RS Best.-Nr.:
736-358
Herst. Teile-Nr.:
SIZF5302DT-T1-UE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Dual-N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAIR 3 x 3FS

Serie

SIZF5302DT

Montageart

SMD

Pinanzahl

12

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0032Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

48.1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14.8nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.3mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der Dual-N-Kanal-MOSFET von Vishay verwaltet die Leistung effizient in verschiedenen Anwendungen wie synchrone Buck- und Computerperipheriegeräte.

Verwendet die TrenchFET Gen V-Technologie für verbesserte Effizienz

Verfügt über eine Dual-N-Kanal-Architektur, die die Wärmeableitung optimiert

Kann einen maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 28,1 A bei 25 °C bewältigen

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