ROHM RS6P100BH Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A 104 W, 8-Pin HSOP-8S
- RS Best.-Nr.:
- 252-3157
- Herst. Teile-Nr.:
- RS6P100BHTB1
- Marke:
- ROHM
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- 252-3157
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- RS6P100BHTB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | RS6P100BH | |
| Gehäusegröße | HSOP-8S | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie RS6P100BH | ||
Gehäusegröße HSOP-8S | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Rohms bietet eine RS-Serie von Leistungs-Mosfets mit niedrigem Durchlasswiderstand an, die zum Schalten geeignet sind. Das Produkt ist halogenfrei 100 % Rg und UIS-geprüft mit einer Eingangsspannung von 100 V.
Der Sperrschicht- und Lagertemperaturbereich beträgt -55 °C bis +150 °C
Montiert auf einer cu-Platte
Der Drainstrom beträgt 100 A
Die Verlustleistung beträgt 104 W
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