Teile-Nr.

DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET -30 V 0.37 W X4-DSN1717-4

RS Best.-Nr.:: 254-8596
Herst. Teile-Nr.:: DMN2009UCA4-7
Marke:: DiodesZetex

DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET -30 V 0.37 W X4-DSN1717-4

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RS Best.-Nr.:: 254-8596
Herst. Teile-Nr.:: DMN2009UCA4-7
Marke:: DiodesZetex

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	DiodesZetex
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-30V
	Gehäusegröße	X4-DSN1717-4
	Maximale Verlustleistung Pd	0.37W
	Gate-Source-spannung max Vgs	12 V
	Durchlassspannung Vf	1V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

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	Marke DiodesZetex
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	Drain-Source-Spannung Vds max. -30V
	Gehäusegröße X4-DSN1717-4
	Maximale Verlustleistung Pd 0.37W
	Gate-Source-spannung max Vgs 12 V
	Durchlassspannung Vf 1V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - DMN2009UCA4-7

Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen ist. Er ist für den Schutz von Batterien und Batterien geeignet

ESD-Schutz des Gates mit hoher Schaltgeschwindigkeit, halogen- und antimonfrei

DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET -30 V 0.37 W X4-DSN1717-4

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