DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET -30 V 0.37 W X4-DSN1717-4
- RS Best.-Nr.:
- 254-8596
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2009UCA4-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.909.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 02. Juni 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.303 | CHF.905.97 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 254-8596
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2009UCA4-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | X4-DSN1717-4 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.37W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße X4-DSN1717-4 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.37W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen ist. Er ist für den Schutz von Batterien und Batterien geeignet
ESD-Schutz des Gates mit hoher Schaltgeschwindigkeit, halogen- und antimonfrei
Verwandte Links
- DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET -30 V 0.37 W X4-DSN1717-4
- DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET 20 V 1 W X4-DSN1111-4
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 4.6 A 1.88 W, 3-Pin X4-DSN
- DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 0.37 W, 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt DMN3006SCA6 Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 13 A 1.8 W, 6-Pin X4-DSN
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V 0.37 W X2-DFN0806-6
- DiodesZetex Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V 0.37 W X2-DFN0806-6
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 9-Pin X4-DSN1515-9