DiodesZetex N-Kanal MOSFET -30 V 0.37 W X4-DSN1717-4
- RS Best.-Nr.:
- 254-8596
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2009UCA4-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 254-8596
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2009UCA4-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | X4-DSN1717-4 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.37W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße X4-DSN1717-4 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.37W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen ist. Er ist für den Schutz von Batterien und Batterien geeignet
ESD-Schutz des Gates mit hoher Schaltgeschwindigkeit, halogen- und antimonfrei
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