DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET 20 V 1 W X4-DSN1111-4
- RS Best.-Nr.:
- 254-8600
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2030UCA4-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- 254-8600
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2030UCA4-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | X4-DSN1111-4 | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße X4-DSN1111-4 | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen ist. Er ist für den Schutz von Batterien und Batterien geeignet
Einsatz in Lastschaltern mit hoher Schaltgeschwindigkeit, halogen- und antimonfrei
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