DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET 20 V 1 W X4-DSN1111-4
- RS Best.-Nr.:
- 254-8599
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2030UCA4-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- DMN2030UCA4-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | X4-DSN1111-4 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße X4-DSN1111-4 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen ist. Er ist für den Schutz von Batterien und Batterien geeignet
Einsatz in Lastschaltern mit hoher Schaltgeschwindigkeit, halogen- und antimonfrei
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