DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V 0.37 W X2-DFN0806-6

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254-8612
Herst. Teile-Nr.:
DMN31D5UDAQ-7B
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

X2-DFN0806-6

Montageart

Oberfläche

Gate-Source-spannung max Vgs

12V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.38nC

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

0.37W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der DiodeZetex-Verstärkungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen ist. Es ist anwendbar in Universal-Schnittstellen Sw

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand, sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, ESD-geschütztes Gate, halogen- und antimonfrei

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