DiodesZetex Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V 0.36 W X2-DFN0806-6
- RS Best.-Nr.:
- 254-8619
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP22D5UDA-7B
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 254-8619
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP22D5UDA-7B
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | X2-DFN0806-6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße X2-DFN0806-6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodeZetex P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen macht. Er ist für allgemeine Anwendungen geeignet.
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand, sehr niedrige Gate-Schwellenspannung, ESD-geschütztes Gate, halogen- und antimonfrei
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