Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 200 V / 9 A 74 W, 3-Pin IRF630PBF TO-220

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256-7275
Herst. Teile-Nr.:
IRF630PBF
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

74W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.65mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFET der dritten Generation von Vishay Semiconductor bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle gewerblichen und industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220AB-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Branche bei.

Dynamische dV/dt-Nennleistung

Wiederholbare Lawinenbeständigkeit

Schnelles Schalten

Einfache Parallelstellung

Einfache Antriebsanforderungen

Materialkategorisierung

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