ROHM R8009KNX N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 800 V / 9 A 59 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 223-6215
- Herst. Teile-Nr.:
- R8009KNXC7G
- Marke:
- ROHM
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|---|---|---|
| 2 - 48 | CHF 3.353 | CHF 6.72 |
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| 100 - 248 | CHF 2.353 | CHF 4.71 |
| 250 - 498 | CHF 2.303 | CHF 4.61 |
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- RS Best.-Nr.:
- 223-6215
- Herst. Teile-Nr.:
- R8009KNXC7G
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | R8009KNX | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 59W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie R8009KNX | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 59W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat das TO-220FM-Gehäuse. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Parallele Nutzung ist einfach
Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform
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