ROHM R8009KNX Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 800 V / 9 A 59 W, 3-Pin R8009KNXC7G TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
R8009KNXC7G
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

R8009KNX

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

59W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat das TO-220FM-Gehäuse. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Parallele Nutzung ist einfach

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

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