Vishay Si2329DS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -8 V / -6 A 2.5 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 256-7346
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2329DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- SI2329DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -8V | |
| Serie | Si2329DS | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.12Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 5 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -8V | ||
Serie Si2329DS | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.12Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 5 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.12mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der P-Kanal von Vishay Semiconductor 8 V, 6 A (Tc), 2,5 W (Tc), SMD SOT-23-3 (TO-236), halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 Definition.
TrenchFET Power Mosfet
100 % Rg-geprüft
Konform mit RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
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