Vishay Si2329DS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -8 V / -6 A 2.5 W, 3-Pin SI2329DS-T1-GE3 SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
SI2329DS-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-8V

Serie

Si2329DS

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.12Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

5 V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19.3nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Länge

3.04mm

Breite

1.4 mm

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

Der P-Kanal von Vishay Semiconductor 8 V, 6 A (Tc), 2,5 W (Tc), SMD SOT-23-3 (TO-236), halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 Definition.

TrenchFET Power Mosfet

100 % Rg-geprüft

Konform mit RoHS-Richtlinie 2002/95/EG

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