Teile-Nr.

Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 4 A, 6-Pin SI3443DDV-T1-GE3 TSOP-6

RS Best.-Nr.:: 256-7355
Herst. Teile-Nr.:: SI3443DDV-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 4 A, 6-Pin SI3443DDV-T1-GE3 TSOP-6

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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250 - 975	CHF.0.168	CHF.4.25
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RS Best.-Nr.:: 256-7355
Herst. Teile-Nr.:: SI3443DDV-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	TSOP-6
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.4Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	1.1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße TSOP-6
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 1.1mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SI3443DDV-T1-GE3

Das maximale P-Kanal-MOSFET von 20 V (D-S) von Vishay Semiconductor unter Gleichstrombedingungen beträgt 110 °C, W.

TrenchFET Power Mosfet

PWM-optimiert

100 % Rg-geprüft

Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 4 A, 6-Pin SI3443DDV-T1-GE3 TSOP-6

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