Vishay SI3483DDV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -6.4 A 3 W, 6-Pin TSOP-6

RS Best.-Nr.:: 256-7359
Herst. Teile-Nr.:: SI3483DDV-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI3483DDV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -6.4 A 3 W, 6-Pin TSOP-6

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 256-7359
Herst. Teile-Nr.:: SI3483DDV-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-6.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-30V
	Gehäusegröße	TSOP-6
	Serie	SI3483DDV
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.0513Ω
	Gate-Source-spannung max Vgs	16V
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	4.5nC
	Maximale Verlustleistung Pd	3W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	1.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -6.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -30V
	Gehäusegröße TSOP-6
	Serie SI3483DDV
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0513Ω
	Gate-Source-spannung max Vgs 16V
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.5nC
	Maximale Verlustleistung Pd 3W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 1.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SI3483DDV-T1-GE3

MOSFET der SI3483DDV-Serie von Vishay, 3 W maximale Verlustleistung, -30 V maximale Drain-Source-Spannung - SI3483DDV-T1-GE3

Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierbarer Schalttransistor, der für die elektronische Leistungssteuerung in kompakten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Niederspannungsanwendungen, die eine moderate Strombelastbarkeit und eine effiziente Leitfähigkeit erfordern. Das Gerät wird in einem TSOP-6-Gehäuse geliefert und ist für Standard-RoHS-Fertigungsumgebungen spezifiziert.

Merkmale und Vorteile:

• Niedrige Rds(on) von 0,0513 Ω ermöglicht geringere Leitungsverluste
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von -6,4 A unterstützt moderate Lastströme
• Die Drain-Source-Nennspannung von -30 V ermöglicht das Schalten bei niedriger Spannung
• Gate-Schwellwert, der Vgs bis zu 16 V ermöglicht, bietet einen flexiblen Antriebsbereich
• Eine typische Gate-Ladung von 4,5 nC sorgt für schnelleres Schalten und erhöht die Effizienz
• Die Verlustleistung von 3 W begrenzt die thermische Belastung für kompakte Designs

Anwendungen

• Wird zum Schutz vor Verpolung der Batterie in tragbarer Elektronik verwendet
• Geeignet für Lastschaltvorgänge in Stromverteilungsschienen
• Ideal für High-Side-Schaltvorgänge in Batteriemanagementsystemen
• Kann für USB-Strompfad-Auswahlschaltkreise verwendet werden
• Wird mit Motor-Treiber-Gates in Niederspannungsanlagen verwendet

Welche thermischen Extreme kann das Gerät im Betrieb tolerieren?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz unter rauen Umgebungsbedingungen und bei erhöhten Temperaturen auf der Leiterplatte.

Wie viele Stifte und welche Montageart wird verwendet?

Das Gehäuse verfügt über sechs Pins und ist für die Oberflächenmontage auf belegten Boards vorgesehen.

Welcher Kanaltyp und welche Leitungspolarität ist zu erwarten?

Der Transistor ist ein P-Kanal-Gerät, sodass die Quellen- und Ablassrollen mit P-Typ-Schaltkonfigurationen übereinstimmen.

Ist dies für die Anforderungen von Automobilstandards geeignet?

Es ist nicht als Komponente für den Automobilstandard ausgewiesen und sollte nicht davon ausgegangen werden, dass es spezifische Qualifikationskriterien für den Automobilbereich erfüllt.