Vishay SI3483DDV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -30 V / -6.4 A 3 W, 6-Pin TSOP-6

Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein oberflächenmontierbares Halbleitergerät, das zur Steuerung von High-Side-Schalt- und analogen Leistungsfunktionen in kompakten elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet mit einer Nennleistung von 30 V Drain-to-Source und ist für den Einsatz in einem breiten Umgebungstemperaturbereich vorgesehen, wodurch er sich für anspruchsvolle Industrie- und Automatisierungsumgebungen eignet, in denen eine kompakte Stromschaltung erforderlich ist.

• Niedrige Rds(on) von 0,0513 Ω für reduzierte Leitungsverluste • Kontinuierlicher Ablassstrom von 6,4 A zur Unterstützung moderater Leistungslasten • Typische Gate-Ladung 4,5 nC ermöglicht schnelleres Gate-Schalten • Maximale Verlustleistung 3 W ermöglicht dauerhafte thermische Belastung • Gate-Source-Beständigkeit von 16 V für tolerante Gate-Drive-Rückstände • Betriebsfähig zwischen -55 °C und +150 °C für den Einsatz bei hohen Temperaturen

• Geeignet für High-Side-Lastumschaltung in Automatisierungsgeräten • Ideal für Batteriemanagement-Schaltkreise in tragbaren Systemen • Wird für die analoge Leistungssteuerung in der Industrieelektronik verwendet • Kann für thermisch empfindliche Anwendungen verwendet werden Kompakte SMD-Teile benötigen • Wird mit Motorsteuerungs-Treibern verwendet, die eine P-Kanal-Topologie erfordern

Es wird in einem TSOP-6-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit sechs Stiften für enge Leiterplatten geliefert.

Er ist für den Betrieb bis zu +150 °C ausgelegt und ermöglicht eine kontinuierliche Leitung und Schaltung bei erhöhten Temperaturen innerhalb der angegebenen Grenzen.

Die typische Gate-Ladung beträgt 4,5 nC, was die Berechnung der Gate-Antriebsenergie und des Schaltverlusts ermöglicht.

Die Komponente entspricht den RoHS-Materialbeschränkungen für die Konformität mit eingeschränkten Stoffen.