Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 7.9 A, 6-Pin SI3460DDV-T1-GE3 TSOP-6
- RS Best.-Nr.:
- 256-7357
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3460DDV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.221 | CHF.5.59 |
| 50 - 75 | CHF.0.221 | CHF.5.48 |
| 100 - 225 | CHF.0.168 | CHF.4.25 |
| 250 - 975 | CHF.0.168 | CHF.4.18 |
| 1000 + | CHF.0.105 | CHF.2.73 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7357
- Herst. Teile-Nr.:
- SI3460DDV-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TSOP-6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TSOP-6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal von Vishay Semiconductor, 20 V, 7,9 A (Tc), 1,7 W (Ta), 2,7 W (Tc), SMD, 6-TSOP, halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 Definition.
TrenchFET Power Mosfet
100 % Rg-geprüft
100 % UIS-geprüft
Konform mit RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
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