Vishay SI3437DV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -150 V / -1.4 A 3.2 W, 6-Pin TSOP-6

Dieser P-Kanal-MOSFET ist ein SMD-Leistungstransistor, der für Hochspannungsschalt- und Leistungsmanagementfunktionen in elektronischen Systemen vorgesehen ist. Er ist für den Betrieb in einem breiten Temperaturbereich für den Einsatz in industriellen und gewerblichen Geräten ausgelegt und bietet eine gate-gesteuerte Leitfähigkeit für Anwendungen, die eine positive Gate-Source-Schwelle in einer Umgebung mit negativem Drain erfordern.

• Hohe Nennspannung ermöglicht das Schalten bei 150 V für Stromkreise • Niedriger Einschaltwiderstand minimiert Leitungsverluste bei 0,79 Ω • Dauerstromfähigkeit unterstützt Dauerlasten bis zu 1,4 A • Typische Gate-Ladung 8 nC ermöglicht effiziente Gate-Ansteuerung und schnelleres Schalten • Maximale Verlustleistung 3,2 W hilft bei der thermischen Budgetlierung in kompakten Designs • Die Gate-Source-Beständigkeit von 20 V ermöglicht eine robuste Antriebsspanne für Steuerungsstufen

• Geeignet für synchrone Lastschaltung in industriellen Steuerungen • Ideal für Polaritäts- und High-Side-Schaltung in Energiemanagementsystemen • Wird für das Batteriemanagement in der Kfz-Hilfselektronik verwendet • Kann für DC/DC-Wandlerstufen mit niedrigem bis mittlerem Strom verwendet werden • Wird mit kompakten Baugruppen für die Oberflächenmontage verwendet, bei denen die Höhe entscheidend ist

Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt, was den Einsatz unter weiten Umgebungsbedingungen und erhöhten Anschlussstellen ermöglicht.

Das oberflächenmontierbare TSOP-6-Gehäuse mit sechs Stiften ermöglicht eine kompakte Platzierung und Wärmeleitpfade für Leistungsdesigns mit kleinem Platzbedarf.

Das Gate muss innerhalb eines Bereichs von ±20 V in Bezug auf die Quelle betrieben werden, und die typische Gate-Ladung von 8 nC informiert die Treibergröße, um die gewünschte Schaltgeschwindigkeit zu erreichen.

Es ist für einen maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 1,4 A und eine Verlustleistung von 3,2 W spezifiziert, die zur Vergrößerung der Leiterplatten-Kupferfläche und jeder Wärmeableitung verwendet werden sollte.