Vishay Si4948BEY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 2.4 A, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 256-7362
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4948BEY-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.1’312.50
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 17. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.0.525 | CHF.1’307.25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7362
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4948BEY-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | Si4948BEY | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie Si4948BEY | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Zweifach-P-Kanal 175° Mosfet iTime von Vishay Semiconductor ist halogenfrei.
TrenchFET Power Mosfet
Konform mit RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
Oberflächenmontage auf 1 x 1 FR4-Platine
Verwandte Links
- Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,4 A 8-SOIC
- Vishay P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 3,1 A 2,4 W, 8-Pin SOIC
- Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 7,5 A 2,4 W, 8-Pin SOIC
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 5,3 A, 8-Pin SO-8
- Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,5 A 3,3 W, 8-Pin SOIC
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 2,1 A, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 6,5 A, 8-Pin SO-8
- Vishay N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 5,3 A 3,1 W, 8-Pin SOIC