Vishay Si4948BEY Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -60 V / -2.4 A 1.4 W, 8-Pin SOIC

RS Best.-Nr.:: 256-7362
Herst. Teile-Nr.:: SI4948BEY-T1-E3
Marke:: Vishay

Vishay Si4948BEY Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -60 V / -2.4 A 1.4 W, 8-Pin SOIC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: SI4948BEY-T1-E3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-2.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-60V
	Serie	Si4948BEY
	Gehäusegröße	SOIC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.15Ω
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	14.5nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	1.4W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	1.75mm
	Normen/Zulassungen	RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -2.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -60V
	Serie Si4948BEY
	Gehäusegröße SOIC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.15Ω
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.5nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 1.4W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 1.75mm
	Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SI4948BEY-T1-E3

MOSFET der Serie Si4948BEY von Vishay, -60 V Drain-Quellenspannung, -2,4 A kontinuierlicher Drain-Strom - SI4948BEY-T1-E3

Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Oberflächenmontage-Transistor, der für Schalt- und Leistungssteuerungsaufgaben in elektronischen Systemen entwickelt wurde. Es arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und ist für den Einsatz auf kompakten Boards vorgesehen, bei denen ein SOIC-Gehäuse und eine moderate Leistungsaufnahme erforderlich sind. Das Gerät eignet sich für Ingenieure, die eine P-Kanal-Option mit spezifischer Gate-Ladung und thermischen Grenzwerten für das Design auf Schaltungsebene benötigen.

Merkmale und Vorteile:

• P-Kanal-Gerät unterstützt negative Drain-Source-Spannung für High-Side-Schaltung • Nenndrain-Quellenspannung von -60 V ermöglicht Anwendungen mit erhöhter Spannung • Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von -2,4 A ermöglicht eine moderate Lasthandhabung • Niedriger Einschaltwiderstand von 0,15 Ω reduziert Leitungsverluste • Typische Gate-Ladung von 14,5 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten • Verlustleistung 1,4 W für die Steuerung des Wärmebudgets in engen Layouts

Anwendungen

• Geeignet für High-Side-Schalter in Motorsteuerungsmodulen • Ideal für Lasttrennungen in Stromverwaltungsschaltungen • Wird für den Verpolungsschutz in Versorgungsschienen verwendet • Kann für Batteriemanagement und Ladekontrolle verwendet werden • Geeignet für SMD-Baugruppen, die kompakte P-Kanal-Transistoren erfordern

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?

Die Gate-Source-Spannung darf ±20 V nicht überschreiten, um Gate-Oxidbelastungen zu vermeiden und einen zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.

Wie verhält sich das Gerät bei hohen Temperaturen?

Er ist für den Betrieb bis maximal 175 °C spezifiziert, sodass Entwickler die Reduzierung von Strom und Leistung mit Temperaturanstieg berücksichtigen sollten.

Welches Gehäuse und welche Pinanzahl sind für das Leiterplatten-Layout verfügbar?

Die Komponente wird in einem SOIC‐8-Gehäuse mit acht Stiften geliefert, das für Standard-SMD-Footprint-Designs geeignet ist.

Welche Normen gelten für die Material- und Prozessverträglichkeit?

Die Komponente entspricht der RoHS 2002/95/EC und entspricht den Materialspezifikationen der IEC 61249‐2‐21.

Welche Durchlassspannung oder Body-Diode-Charakteristik ist angegeben?

ist eine Durchlassspannung von -1,2 V für das eigensichere Leitungsverhalten der Diode angegeben.