Vishay Si4948BEY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 2.4 A, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 256-7363
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4948BEY-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.8.82
Auf Lager
- 1’170 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.764 | CHF.8.82 |
| 50 - 95 | CHF.1.712 | CHF.8.55 |
| 100 - 245 | CHF.1.449 | CHF.7.24 |
| 250 - 995 | CHF.1.418 | CHF.7.10 |
| 1000 + | CHF.1.04 | CHF.5.18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7363
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4948BEY-T1-E3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | Si4948BEY | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie Si4948BEY | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Zweifach-P-Kanal 175° Mosfet iTime von Vishay Semiconductor ist halogenfrei.
TrenchFET Power Mosfet
Konform mit RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
Oberflächenmontage auf 1 x 1 FR4-Platine
Verwandte Links
- Vishay Si4948BEY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 2.4 A, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 3.1 A 2.4 W, 8-Pin SOIC SI4948BEY-T1-GE3
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 3.1 A 2.4 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 3.2 A, 8-Pin SI7465DP-T1-E3 PowerPAK SO-8
- Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 8.7 A 3.8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SI7414DN-T1-E3
- Vishay Si7850DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.2 A 1.8 W, 8-Pin SI7850DP-T1-E3 SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 5.3 A 3.1 W, 8-Pin SI4900DY-T1-E3 SO-8
- Vishay Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 6.5 A 3.7 W, 8-Pin SO-8 SI4946BEY-T1-E3