Teile-Nr.

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 1.8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 256-7386
Herst. Teile-Nr.:: SI7464DP-T1-E3
Marke:: Vishay

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 1.8 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:: 256-7386
Herst. Teile-Nr.:: SI7464DP-T1-E3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.024Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Höhe	1.12mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Gehäusegröße PowerPAK SO-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.024Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Höhe 1.12mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SI7464DP-T1-E3

Der N-Kanal-Schnellschalt-MOSFET 200 V (D-S) von Vishay Semiconductor 1,8 A (Ta) 1,8 W (Ta) für SMD-Anwendung ist ein primärer Seitenschalter.

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