Teile-Nr.

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 40 A PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 256-7426
Herst. Teile-Nr.:: SIRA04DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 40 A PowerPAK SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.1’260.00

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Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
3000 +	CHF.0.42	CHF.1’253.70

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 256-7426
Herst. Teile-Nr.:: SIRA04DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	40A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.0095Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße PowerPAK SO-8
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0095Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIRA04DP-T1-GE3

Der Transmosfet N-Kanal von Vishay Semiconductor 30 V, 35,9 A, 8-poliger PowerPAK SO T, R. Seine Anwendungen sind synchrone Gleichrichtung, DC, DC und VRMs mit hoher Leistungsdichte und integrierte DC, DC.

TrenchFET Power Mosfet

100 % Rg- und UIS-geprüft

Niedriger Qg für hohen Wirkungsgrad

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 40 A PowerPAK SO-8

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