Teile-Nr.

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 30 A SIR424DP-T1-GE3 PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 256-7423
Herst. Teile-Nr.:: SIR424DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 30 A SIR424DP-T1-GE3 PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:: 256-7423
Herst. Teile-Nr.:: SIR424DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	30A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.0095Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße PowerPAK SO-8
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0095Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIR424DP-T1-GE3

Der N-Kanal-MOSFET iTime von Vishay Semiconductor ist halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 und seine Anwendungen sind Abwärtswandler, POL, DC, DC.

TrenchFET Power Mosfet

100 % Rg-geprüft

100 % UIS-geprüft

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 30 A SIR424DP-T1-GE3 PowerPAK SO-8

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