Vishay N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 30 A PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 256-7422
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR424DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIR424DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0095Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0095Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET iTime von Vishay Semiconductor ist halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 und seine Anwendungen sind Abwärtswandler, POL, DC, DC.
TrenchFET Power Mosfet
100 % Rg-geprüft
100 % UIS-geprüft
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