Teile-Nr.

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 25 A PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 256-7430
Herst. Teile-Nr.:: SIRA12DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 25 A PowerPAK SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 256-7430
Herst. Teile-Nr.:: SIRA12DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	25A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.0095Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße PowerPAK SO-8
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0095Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIRA12DP-T1-GE3

Der SMD-N-Kanal iTime von Vishay Semiconductor, 30 V, 25 A (Tc), 4,5 W (Ta), 31 W (Tc), ist halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21, und seine Anwendungen sind DC, DC, synchrone Gleichrichtung, VRMs und eingebettete DC, DC mit hoher Leistungsdichte.

TrenchFET gen IV Power Mosfet

100 % Rg- und UIS-geprüft

Konform mit RoHS-Richtlinie 2002/95/EG

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 25 A PowerPAK SO-8

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