Teile-Nr.

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 25 A, 8-Pin PowerPAK ChipFET

RS Best.-Nr.:: 256-7366
Herst. Teile-Nr.:: SI5448DU-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 25 A, 8-Pin PowerPAK ChipFET

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 256-7366
Herst. Teile-Nr.:: SI5448DU-T1-GE3
Marke:: Vishay

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	25A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	PowerPAK ChipFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.4Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	0.85mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße PowerPAK ChipFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 0.85mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SI5448DU-T1-GE3

Der N-Kanal-MOSFET-SMD-PowerPAK-Chipfet von Vishay Semiconductor ist einfach.

TrenchFET gen IV Power Mosfet

100 % Rg- und UIS-geprüft

Thermisch verbesserte powerPAK-chipFET-Gehäuse

Kompakte Abmessungen von weniger als 6,09 mm2

Dünnes 0,8-mm-Profil

56 % geringerer RDS(ON) als bei der vorherigen Generation

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 25 A, 8-Pin PowerPAK ChipFET

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