Vishay SI5442DU Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 25 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET

RS Best.-Nr.:: 256-7364
Herst. Teile-Nr.:: SI5442DU-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI5442DU Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 25 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: SI5442DU-T1-GE3
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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	25A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	PowerPAK ChipFET
	Serie	SI5442DU
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.0135Ω
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	16.6nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	8V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	31W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Höhe	0.85mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße PowerPAK ChipFET
	Serie SI5442DU
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0135Ω
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.6nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 8V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 31W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Höhe 0.85mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SI5442DU-T1-GE3

MOSFET der Serie SI5442DU von Vishay, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 25 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SI5442DU-T1-GE3

Dieser MOSFET ist ein kompaktes N-Kanal-Schaltgerät, das für oberflächenmontierte Stromversorgungsanwendungen vorgesehen ist. Er ist für den Betrieb mit hohem Dauerstrom in einem breiten Temperaturbereich ausgelegt und eignet sich daher für industrielle Steuerungs- und Leistungsumwandlungsanwendungen, bei denen geringe Leitungsverluste und schnelles Schalten erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• 25 A Dauerstromfähigkeit ermöglicht Hochstromschaltung
• 0,0135 Ω Rds(on) minimiert Leitungsverluste in Leistungspfaden
• 20-V-Drain-Source-Nennleistung unterstützt Niederspannungs-Stromversorgungsschienen
• 16,6 nC typische Gate-Ladung ermöglicht effiziente Schaltsteuerung
• Die Verlustleistung von 31 W unterstützt die Handhabung anhaltender thermischer Lasten
• Vgs max. 8 V schützt das Gate vor Überspannung während des Antriebs

Anwendungen

• Geeignet für Motorantriebsstufen in Automatisierungssystemen
• Ideal für synchrone Abwärtswandler in DC/DC-Netzteilen
• Wird für das Schalten von Hochstromlasten in industriellen Steuerungen verwendet
• Kann für das Energiemanagement in batteriebetriebenen Geräten verwendet werden

Welche thermischen Betriebsgrenzwerte sollten bei der Planung berücksichtigt werden?

Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt, sodass das Wärmemanagement sicherstellen muss, dass die Sperrschichttemperaturen unter Spitzenleistungsbedingungen innerhalb dieses Bereichs bleiben.

Wie viele Stifte und welche Montageart sind auf einer Platine erforderlich?

Es wird in einem 8-poligen oberflächenmontierten PowerPAK-ChipFET-Gehäuse geliefert, sodass das Pad-Layout und die Lötprofile einer 8-poligen SMD-Abmessung entsprechen sollten.

Welche Gate-Drive-Beschränkungen beeinflussen die Auswahl der Antriebsschaltkreise?

Das Gate darf nicht über ein Maximum von 8 V hinaus betrieben werden, sodass Gate-Treiber und Pegelverschiebung Vgs innerhalb dieses Schwellenwerts begrenzen müssen, um Schäden zu vermeiden.

Wie sollten Entwickler die Schaltleistung für den Hochfrequenzbetrieb bewerten?

Verwenden Sie den typischen Gate-Ladewert von 16,6 nC bei der angegebenen Gate-Spannung, um die Treiberenergie und die Schaltverluste bei der Bestimmung des Wirkungsgrads bei den Ziel-Schaltfrequenzen zu berechnen.