Vishay SI5442DU N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 25 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET

RS Best.-Nr.:: 256-7365
Herst. Teile-Nr.:: SI5442DU-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay SI5442DU N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 25 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Herst. Teile-Nr.:: SI5442DU-T1-GE3
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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	25A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Serie	SI5442DU
	Gehäusegröße	PowerPAK ChipFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.0135Ω
	Gate-Source-spannung max Vgs	8V
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	16.6nC
	Maximale Verlustleistung Pd	31W
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Höhe	850μm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 25A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Serie SI5442DU
	Gehäusegröße PowerPAK ChipFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0135Ω
	Gate-Source-spannung max Vgs 8V
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.6nC
	Maximale Verlustleistung Pd 31W
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Höhe 850μm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SI5442DU-T1-GE3

MOSFET der Serie SI5442DU von Vishay, 20 V maximale Drain-Source-Spannung, 25 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SI5442DU-T1-GE3

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Schalttransistor, der für Hochstrom-Leistungsmanagementfunktionen in kompakten oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Es funktioniert als Niederspannungs-Leistungsgerät, das sich für Gleichspannungswandler und synchrone Schalttopologien eignet und über einen breiten Umgebungsbereich für anspruchsvolle thermische Umgebungen arbeitet.

Merkmale und Vorteile:

• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 0,0135 Ω, was geringere Leitungsverluste ermöglicht
• Kontinuierliche Ablassleistung von 25 A zur Unterstützung von Hochstromschienen
• Drain-Source-Festigkeit von 20 V ermöglicht Niederspannungsstufen
• Gate-Toleranz von bis zu 8 V ermöglicht flexible Antriebsschemata
• Typische Gesamt-Gate-Ladung von 16,6 nC für eine effiziente Schaltsteuerung
• Verlustleistung 31 W ermöglicht dauerhafte thermische Belastung

Anwendungen

• Geeignet für synchrone Abwärtswandler-Ausgänge
• Ideal für Kraftfahrzeug-Stromverteilermodule
• Wird für das Schalten von Hochstromlasten in industriellen Geräten verwendet
• Kann für Telekommunikations-Stromversorgungsstufen verwendet werden
• Geeignet für die Point-of-Load-Regelung auf kompakten Leiterplatten

Welchen Temperaturbereich verträgt das Gerät bei der Implementierung?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und eignet sich sowohl für Kaltstart- als auch für Hochtemperaturbetriebsbedingungen.

Wie wirkt sich die Durchlassspannung auf die Effizienz in Niederspannungsanlagen aus?

Die typische Durchlassspannung von 1,2 V über die intrinsische Diode reduziert Totzeitverluste und trägt zur Gesamtwandlereffizienz im synchrone Betrieb bei.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart sind für die Leiterplattenmontage vorgesehen?

Die Komponente wird in einem 8-poligen PowerPAK ChipFET-Format für die Oberflächenmontage geliefert, um ein kompaktes Layout und effektive Wärmewege zu ermöglichen.

Entspricht das Produkt den Materialbeschränkungsrichtlinien?

Die Komponente erfüllt die RoHS-Anforderungen und beschränkt bestimmte gefährliche Stoffe in der Zusammensetzung des Geräts.