Teile-Nr.

Vishay Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 4 A, 8-Pin ChipFET

RS Best.-Nr.:: 256-7372
Herst. Teile-Nr.:: SI5513CDC-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 4 A, 8-Pin ChipFET

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 256-7372
Herst. Teile-Nr.:: SI5513CDC-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P, Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	20V
	Gehäusegröße	ChipFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.4Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P, Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 20V
	Gehäusegröße ChipFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SI5513CDC-T1-GE3

Das N- und P-Kanal-MOSFET-Array von Vishay Semiconductor, 20 V, 4 A, 3,7 A, 3,1 W, SMD-ChipFET 1206-8, ist halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21.

TrenchFET-Leistungs-Mosfets

100 % Rg-geprüft

Konform mit RoHS-Richtlinie 2002/95/EG

Vishay Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 4 A, 8-Pin ChipFET

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