Vishay N/P-Kanal-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6 A PowerPAK ChipFET
- RS Best.-Nr.:
- 256-7375
- Herst. Teile-Nr.:
- SI5517DU-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 256-7375
- Herst. Teile-Nr.:
- SI5517DU-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 6 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK ChipFET | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 6 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 20 V | ||
Gehäusegröße PowerPAK ChipFET | ||
Montage-Typ SMD | ||
Der Vishay Semiconductor Nand P-Kanal-MOSFET 20 V (D-S) 6 A 8,3 W SMD-Anwendungen sind ergänzende MOSFET für tragbare Geräte, ideal für Buck-Boost-Stromkreise.
TrenchFET Power Mosfet
Kleine Abmessungsfläche
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Dünnes 0,8-mm-Profil
100 % Rg-geprüft
Kleine Abmessungsfläche
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Dünnes 0,8-mm-Profil
100 % Rg-geprüft
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