Vishay Typ N, Typ N, Typ P, Typ P-Kanal, Oberfläche, SMD MOSFET 20 V / 6 A PowerPAK ChipFET

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
256-7374
Herst. Teile-Nr.:
SI5517DU-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N, Typ P, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

PowerPAK ChipFET

Montageart

Oberfläche, SMD

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay Semiconductor Nand P-Kanal 20 V (D-S) mosfet 6 A 8,3 W SMD-Anwendungen sind komplementäre mosfet für tragbare Geräte Ideal für Buck-Boost-Schaltungen.

TrenchFET Power Mosfet

Kleine Abmessungsfläche

Geringer Durchlasswiderstand

Dünnes 0,8-mm-Profil

100 % Rg geprüft

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