Vishay Si5419DU Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 9.9 A 31 W, 8-Pin PowerPAK ChipFET
- RS Best.-Nr.:
- 165-6326
- Herst. Teile-Nr.:
- SI5419DU-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- SI5419DU-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK ChipFET | |
| Serie | Si5419DU | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 33mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | -0.85V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 31W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 30nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Breite | 1.98 mm | |
| Länge | 3.08mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK ChipFET | ||
Serie Si5419DU | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 33mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf -0.85V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 31W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.85mm | ||
Breite 1.98 mm | ||
Länge 3.08mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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