Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 6.6 A 19 W, 6-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 256-7400
- Herst. Teile-Nr.:
- SIA108DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SIA108DJ-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.024Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 19W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.024Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 19W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-80-V-MOSFET von Vishay Semiconductor (D-S) umfasst Primär-Seitenschalter, DC, DC-Wandler, Motorantriebsschalter, Boost-Wandler, LED-Hinterleuchtung.
TrenchFET gen IV Power Mosfet
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Qoss
100 % Rg- und UIS-geprüft
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