Teile-Nr.

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage IR-MOSFET Doppelt -30 V / -4 A, 8-Pin SO-8

RS Best.-Nr.:: 257-5492
Distrelec-Artikelnummer:: 304-40-518
Herst. Teile-Nr.:: IRF7306TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage IR-MOSFET Doppelt -30 V / -4 A, 8-Pin SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 257-5492
Distrelec-Artikelnummer:: 304-40-518
Herst. Teile-Nr.:: IRF7306TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	IR-MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-30V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	SO-8
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	160mΩ
	Channel-Modus	Doppelt
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	16.7nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	5mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	1.75mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ IR-MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -30V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße SO-8
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 160mΩ
	Channel-Modus Doppelt
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.7nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 5mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 1.75mm
	Automobilstandard Nein

Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage IR-MOSFET Doppelt -30 V / -4 A, 8-Pin SO-8

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