Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage IR-MOSFET Doppelt -30 V / -4 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 258-8196
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7306TRPBF
- Marke:
- Infineon
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-8196
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7306TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IR-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 160mΩ | |
| Channel-Modus | Doppelt | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IR-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 160mΩ | ||
Channel-Modus Doppelt | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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