Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 88 A 200 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 257-5517
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4410PBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 100 Stück)*
CHF.107.10
Auf Lager
- Zusätzlich 2'900 Einheit(en) mit Versand ab 20. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | CHF.1.071 | CHF.106.86 |
| 200 - 400 | CHF.0.879 | CHF.87.67 |
| 500 + | CHF.0.828 | CHF.82.32 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5517
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4410PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 88A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 88A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Verfügbar bei den meisten Vertriebspartner
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Stromversorgung per Durchgangsbohrung nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 88 A 200 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 180 A TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 88 A 200 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 75 V / 120 A 200 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 88 A PQFN
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 210 A TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 200 V / 24 A 144 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 85 A 330 W TO-263