Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 95 A TO-220

RS Best.-Nr.:: 257-9285
Herst. Teile-Nr.:: IRF40B207
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 95 A TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Stück	Pro Stück	Pro Stange*
50 - 50	CHF.0.704	CHF.35.12
100 - 200	CHF.0.599	CHF.29.82
250 - 450	CHF.0.557	CHF.27.72
500 - 1200	CHF.0.525	CHF.25.99
1250 +	CHF.0.483	CHF.23.89

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 257-9285
Herst. Teile-Nr.:: IRF40B207
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	95A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	4.5mΩ
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 95A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.5mΩ
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF40B207

Die IRF-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem bleifreien TO 220AB-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern. Zu den Endanwendungen gehören schnurlose Stromversorgungs- und Gartenwerkzeuge, leichte Elektrofahrzeuge und E-Bikes, die ein hohes Maß an Robustheit und Energieeffizienz erfordern.

Hoher Nennstrom

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Durchgangsbohrungs-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 40 V / 95 A TO-220

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