Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 30 V / 6.5 A 2 W SO-8

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RS Best.-Nr.:
257-9300
Herst. Teile-Nr.:
IRF7313TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

HEXFET

Drain-Source-Widerstand Rds max.

46mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Durchlassspannung Vf

0.78V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das 30-V-Dual-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse.

RoHS-konform

Niedriger RDS(on)

Dynamische dv/dt-Nennleistung

Schnelles Schalten

Zweifach-N-Kanal-MOSFET

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