Teile-Nr.

Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET -12 V / -7.4 A 2 W, 8-Pin SO-8

RS Best.-Nr.:: 257-9307
Herst. Teile-Nr.:: IRF7329TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET -12 V / -7.4 A 2 W, 8-Pin SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 257-9307
Herst. Teile-Nr.:: IRF7329TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-7.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-12V
	Gehäusegröße	SO-8
	Serie	HEXFET
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	199mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs	±8 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	8.1nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	2W
	Durchlassspannung Vf	-1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.75mm
	Normen/Zulassungen	RoHS Compliant
	Breite	4 mm
	Länge	5mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -7.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -12V
	Gehäusegröße SO-8
	Serie HEXFET
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 199mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs ±8 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.1nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 2W
	Durchlassspannung Vf -1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.75mm
	Normen/Zulassungen RoHS Compliant
	Breite 4 mm
	Länge 5mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF7329TRPBF

Die IRF-Serie von Infineon ist das -12-V-Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse.

RoHS-konform

Niedriger RDS (Ein)

Zweifach-P-Kanal-MOSFET

Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET -12 V / -7.4 A 2 W, 8-Pin SO-8

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