Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET -12 V / -7.4 A 2 W, 8-Pin IRF7329TRPBF SO-8

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Herst. Teile-Nr.:
IRF7329TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-7.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-12V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

199mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±8 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.1nC

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Höhe

1.75mm

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Breite

4 mm

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das -12-V-Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse.

RoHS-konform

Niedriger RDS (Ein)

Zweifach-P-Kanal-MOSFET

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