Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 20 V / -9 A 2 W, 8-Pin SO-8

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257-9303
Herst. Teile-Nr.:
IRF7324TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SO-8

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18mΩ

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

5mm

Breite

4 mm

Höhe

1.75mm

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das -20-V-Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Kann wellenförmig gelötet werden

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