Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 17 A 250 W PQFN

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RS Best.-Nr.:
257-9370
Herst. Teile-Nr.:
IRFH5007TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.9mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

25V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

65nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5mm

Länge

6mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

The Infineon IRFH series is the 75V single n channel strong IRFET power mosfet in a PQFN 5x6 package. The strong IRFET power mosfet family is optimized for low RDS (on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including dc motors, battery management systems, inverters, and dc-dc converters.

Industry standard surface mount power package

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Softer body diode compared to previous silicon generation

Wide portfolio available

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