Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 40 A 46 W PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 257-9375
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5406TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.9.03
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.806 | CHF.9.03 |
| 50 - 120 | CHF.1.733 | CHF.8.65 |
| 125 - 245 | CHF.1.68 | CHF.8.42 |
| 250 - 495 | CHF.1.638 | CHF.8.20 |
| 500 + | CHF.1.596 | CHF.8.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9375
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFH5406TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14.4mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 46W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14.4mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 46W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 0.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRFH-Serie von Infineon ist ein 60-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 5x6-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation
Breites Portfolio verfügbar
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