Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 8.3 A 2 W TSOP-6

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RS Best.-Nr.:
257-9466
Herst. Teile-Nr.:
IRLTS6342TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TSOP-6

Montageart

Durchsteckmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Infineon IRLTS-Serie ist ein 30-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Mosfet in einem TSOP 6 (Micro 6)-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Hohe Strombelastbarkeit in einem kleinen Gehäuse

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