Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 8.3 A 2 W IRLTS6342TRPBF TSOP-6
- RS Best.-Nr.:
- 257-9467
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLTS6342TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.8.40
Auf Lager
- 4’825 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | CHF.0.336 | CHF.8.48 |
| 250 - 600 | CHF.0.326 | CHF.8.06 |
| 625 - 1225 | CHF.0.315 | CHF.7.88 |
| 1250 - 2475 | CHF.0.294 | CHF.7.37 |
| 2500 + | CHF.0.189 | CHF.4.67 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9467
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLTS6342TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOP-6 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Distrelec Product Id | 304-40-555 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOP-6 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Distrelec Product Id 304-40-555 | ||
Die Infineon IRLTS-Serie ist ein 30-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Mosfet in einem TSOP 6 (Micro 6)-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Hohe Strombelastbarkeit in einem kleinen Gehäuse
Verwandte Links
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 8,3 A TSOP-6
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 3,4 A TSOP-6
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 900 mA TSOP-6
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,2 A 2 W, 6-Pin TSOP-6
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 600 mA 2 W, 6-Pin TSOP-6
- Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,8 A 2 W, 6-Pin TSOP
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 8 A SO-8
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 9,2 A SO-8