Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 0.9 A 2 W, 6-Pin TSOP-6
- RS Best.-Nr.:
- 257-9289
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF5802TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.252.00
Auf Lager
- 3’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.084 | CHF.267.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-9289
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF5802TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TSOP-6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TSOP-6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs, die bewährte Siliziumprozesse nutzt und Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten bietet, um verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen zu unterstützen.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 0.9 A 2 W, 6-Pin IRF5802TRPBF TSOP-6
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 8.3 A 2 W TSOP-6
- Infineon HEXFET P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 3,8 A 2 W, 6-Pin TSOP
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -40 V / -3.4 A 1.3 W, 6-Pin TSOP-6
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 30 V / 8.3 A 2 W IRLTS6342TRPBF TSOP-6
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET -40 V / -3.4 A 1.3 W, 6-Pin IRF5803TRPBF TSOP-6
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 600 mA 2 W, 6-Pin TSOP
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.8 A 2 W, 6-Pin TSOP