Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 0.9 A 2 W, 6-Pin TSOP-6
- RS Best.-Nr.:
- 257-9289
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF5802TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 257-9289
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF5802TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TSOP-6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 150mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TSOP-6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs, die bewährte Siliziumprozesse nutzt und Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten bietet, um verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen zu unterstützen.
Planare Zellenstruktur für breite SOA
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
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