Teile-Nr.

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 0.9 A 2 W, 6-Pin IRF5802TRPBF TSOP-6

RS Best.-Nr.:: 257-9290
Herst. Teile-Nr.:: IRF5802TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 0.9 A 2 W, 6-Pin IRF5802TRPBF TSOP-6

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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100 - 240	CHF.0.284	CHF.2.87
250 - 490	CHF.0.252	CHF.2.55
500 - 990	CHF.0.221	CHF.2.23
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RS Best.-Nr.:: 257-9290
Herst. Teile-Nr.:: IRF5802TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	0.9A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TSOP-6
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	150mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	4.5nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Verlustleistung Pd	2W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.9A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TSOP-6
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.5nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Verlustleistung Pd 2W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRF5802TRPBF

Die IRF-Serie von Infineon ist die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs, die bewährte Siliziumprozesse nutzt und Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten bietet, um verschiedene Anwendungen wie Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen zu unterstützen.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 0.9 A 2 W, 6-Pin IRF5802TRPBF TSOP-6

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