Infineon IPA Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 800 V / 5.7 A 32 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 258-3776
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA80R1K0CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.2.303 | CHF.4.61 |
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| 50 - 98 | CHF.2.101 | CHF.4.20 |
| 100 - 198 | CHF.2.00 | CHF.3.99 |
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- RS Best.-Nr.:
- 258-3776
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA80R1K0CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | IPA | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 950mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 32W | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie IPA | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 950mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 32W | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 800 V CoolMOS CE ist eine Hochleistungsgerätefamilie mit 800 Volt Unterbrechungsspannung. Die CE richtet sich an Unterhaltungselektronikanwendungen sowie Beleuchtung. Die neue 800-V-Auswahl-Serie richtet sich speziell an LED-Anwendungen. Mit dieser speziellen CoolMOS-Familie kombiniert Infineon langjährige Erfahrung als führender Super-Junction-MOSFET-Lieferant mit erstklassiger Innovation.
Niedriger spezifischer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Sehr niedrige Energiespeicherung in der Ausgangskapazität @ 400 V
Hohe Zuverlässigkeit
Benutzerfreundlichkeit
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