Infineon IPA Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 800 V / 5.7 A 32 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 258-3776
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA80R1K0CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.2.626
Auf Lager
- 492 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.1.313 | CHF.2.62 |
| 20 - 48 | CHF.1.252 | CHF.2.50 |
| 50 - 98 | CHF.1.192 | CHF.2.38 |
| 100 - 198 | CHF.1.131 | CHF.2.26 |
| 200 + | CHF.1.061 | CHF.2.12 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3776
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA80R1K0CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPA | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 950mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 32W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 31nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPA | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 950mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 32W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 31nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 800 V CoolMOS CE ist eine Hochleistungsgerätefamilie mit 800 Volt Unterbrechungsspannung. Die CE richtet sich an Unterhaltungselektronikanwendungen sowie Beleuchtung. Die neue 800-V-Auswahl-Serie richtet sich speziell an LED-Anwendungen. Mit dieser speziellen CoolMOS-Familie kombiniert Infineon langjährige Erfahrung als führender Super-Junction-MOSFET-Lieferant mit erstklassiger Innovation.
Niedriger spezifischer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Sehr niedrige Energiespeicherung in der Ausgangskapazität @ 400 V
Hohe Zuverlässigkeit
Benutzerfreundlichkeit
Verwandte Links
- Infineon IPA Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 800 V / 5.7 A 32 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Typ N-Kanal MOSFET N / 10.1 A TO-220
- Infineon IPA Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 800 V / 4.5 A 33 W, 3-Pin TO-220
- Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 14.1 A TO-220
- Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 9.9 A TO-220
- Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 650 V / 66 A TO-220
- Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 44 A TO-220
- Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 45 A TO-220