Infineon IPA Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 800 V / 4.5 A 33 W, 3-Pin IPA80R650CEXKSA2 TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
IPA80R650CEXKSA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPA

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

650mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Maximale Verlustleistung Pd

33W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Infineon 800 V CoolMOS CE ist eine Hochleistungsgerätefamilie mit 800 Volt Unterbrechungsspannung. Die CE richtet sich an Unterhaltungselektronikanwendungen sowie Beleuchtung. Die neue 800-V-Auswahl-Serie richtet sich speziell an LED-Anwendungen. Mit dieser speziellen CoolMOS-Familie kombiniert Infineon langjährige Erfahrung als führender Super-Junction-MOSFET-Lieferant mit erstklassiger Innovation.

Niedriger spezifischer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Sehr niedrige Energiespeicherung in der Ausgangskapazität @ 400 V

Hohe Zuverlässigkeit

Benutzerfreundlichkeit

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